8月13日，记者从复旦年夜学得悉，该校周鹏-刘春森团队从界面工程动身，在国际上初次实现了最年夜范围1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证，并证实了其超快特征可延长至亚10纳米。相干研究功效12日颁发在国际期刊《天然 电子学》。

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人工智能的飞速成长火急需要高速非易掉存储手艺，当前主流非易掉闪存的编程速度遍及在百微秒级，没法支持利用需求。该研究团队在前期发现二维半导体布局可以或许将其速度晋升一千倍以上，实现倾覆性的纳秒级超快存储闪存手艺。可是，实现范围集成、走向现实利用仍具有挑战。

为此，研究人员开辟了超界面工程手艺，在范围化二维闪存中实现了具有原子级平整度的异质界面，连系高精度的表征手艺，显示集成工艺优在国际程度。研究人员经由过程严酷的直流存储窗口、交换脉冲存储机能测试，证实了二维新机制闪存在1Kb存储范围中，在纳秒级非易掉编程速度下的良率可高达98%，这一良率高在国际半导体手艺线路图对闪存制造89.5%的良率要求。

同时，研究团队研发了不依靠进步前辈光刻装备的自瞄准工艺，连系原始立异的超快存储叠层电场设计理论，成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件。该器件是今朝国际最短沟道闪存器件，冲破了硅基闪存物理尺寸极限，约15纳米。在原子级薄层沟道撑持下，这一超小尺寸器件具有20纳秒超快编程、10年非易掉、10万次轮回寿命和多态存储机能。

研究人员介绍，此项研究工作将鞭策超快闪存手艺的财产化利用。

（原题目：我科学家实现纳秒编程闪存范围集成和8纳米极限微缩）

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